Hoàng Mai Hà, Phan Đình Long, Ngô Trịnh Tùng

Trong bải báo nảy, chúng tôi đã chế tạo thành còng transistor hiệu ứng trường hữu co (OFETs) ^ dụng các phân từ bán dẫn porphyrin 4TBPZ và 2TBPZ. Ành hưrag cùa cấu true p M tư b^ dân tới đặc tính linh kiện OFET được nghiên cứu chi tiết. Linh kiệo OFET dạng đơn tựm the có độ linh động hạt tải tối đa là 0,40 cm^ V' s‘' vả ti số dòng bật tắt cao Nghiên cứu này pup lậm TÕ môi liên hệ giữa cấu trúc phânt ử, độ tinh thể và đặc tính lừih kiện OFET cùa vật lêu bán dân porphyrin. Kết quả này sẽ đóng góp cho việc thiết kế các dẫn xuất porphynn ứng dụng ừong lĩnh vục quang điện tử ừong tương lai.