Nguyễn Ngọc Việt, Trần Quang Trung, Lê Khắc Bình, Đặng Mậu Chiến

Màng dẫn điện trong suốt ZnO:Al được chế tạo bằng phương pháp sol-gel với chất ban đầu Zn(CH3COO)2.2H2O, chất pha tạp Al(NO3)3.9H2O, chất tạo phức MEA và dung môi 2-methoxyethanol. Phổ XRD cho thấy màng có cấu trúc đa tinh thể wurtzite khi ủ nhiệt 1 giờ ở 500oC trong không khí. Độ dẫn điện thay đổi theo điều kiện môi trường ủ nhiệt, cụ thể khi ủ trong chân không (10-3 Torr) độ dẫn điện có thể tăng lên khoảng 103 lần. Điện trở thấp nhất của màng đạt 372 / với hàm lượng pha tạp Al 2%. Độ truyền qua của màng T lớn hơn 85%. Ảnh SEM phân giải cao cho thấy độ đồng đều của màng tạo bằng phương pháp sol-gel.