Mỹ Dung Thị Cao, Vinh Cao Trần, Chí Hữu Nguyễn

Màng ZnO-Ga được tạo từ bia ZnO pha tạp 4.4% nguyên tử (at.) Ga với bề dày khoảng 600nm, bằng phương pháp phún xạ magnetron RF ở nhiệt độ phòng, có điện trở suất ~ 4.6 x 10-4 cm và độ truyền qua T 85% trong vùng phổ khả kiến. Tại nhiệt độ phòng, phổ nhiễu xạ cho thấy màng có tính tinh thể tốt với định hướng (002) mạnh.
Cách bố trí bia-đế song song trong quá trình phún xạ cho thấy tính chất màng ít bị ảnh hưởng bởi sự bắn phá của các hạt ion âm năng lượng cao, màng có độ bền nhiệt khi ủ trong môi trường không khí so với màng ZnO pha tạp Al (ZnO-Al), điều này có thể được giải thích dựa trên sự sai khác của bán kính ion các nguyên tử tạp chất ảnh hưởng đến quá trình hòa tan rắn thay thế trong bia.