Transistor trường phân tử là ứng cử viên đầy hứa hẹn để thay thế transistor trường MOSFET trong tương lai vì kích thước nhỏ, công suất tiêu thụ thấp và tốc độ cao. Trong công trình này, chúng tôi giới thiệu mô hình transistor trường phân tử ba chân. Cấu trúc của MFET giống MOSFET truyền thống, nhưng kênh dẫn được thay bằng phân tử benzene ghép 1-4. Chúng tôi sử dụng phương pháp hàm Green không cân bằng để tính hàm truyền và cuối cùng đặc trưng dòng thế của MFET. Chương trình mô phỏng sử dụng GUI trong Matlab. Chúng tôi nhận thấy sự khác nhau đáng kể giữa đặc trưng dòng - thế của MFET và MOSFET truyền thống. Thêm vào đó, ảnh hưởng của vật liệu, nhiệt độ và điện thế thiên áp đến đặc trưng dòng - thế của MFET cũng đã được khảo sát. Nhờ GUI trong Matlab, những kết quả mô phỏng được thể hiện một cách trực quan.